Оперативная память 4 GB 1 шт. Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 4Gb

Общие характеристики

Тип

DDR3

Напряжение

1.5 В

Характеристики

Форм-фактор

SODIMM

Количество модулей в комплекте

1 шт.

Пропускная способность

PC10600

CL

9

tRCD

9

tRP

9

tRAS

30

Количество чипов каждого модуля

16

Количество рангов

2

Количество контактов

204

Упаковка чипов

двусторонняя

Особенности

Unregistered

Конструкция

Оперативная память

4 ГБ

Производительность

Тактовая частота

1333 МГц